Отзывов нет
Общие характеристики
Тип памяти
DDR2
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный
Тактовая частота
800 МГц
Пропускная способность
6400 МБ/с
Объем
1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
6
RAS to CAS Delay (tRCD)
6
Row Precharge Delay (tRP)
6
Activate to Precharge Delay (tRAS)
18
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.8 В
